ONSEMI 2 | HUASHU TECHNOLOGIES

MPN	MFRS	Katalog	PKG \| PINS \| MENGE	Beschreibung	INV	MENGE
1N4148WT	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SOD \| 523F \| 8000	Integrierter Schaltkreis	8000	Maximal: 8000 Mindest: 1 Schritt: 1
1SMA5934BT3G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SMA \| 5000	Integrierter Schaltkreis	5000	Maximal: 5000 Mindest: 1 Schritt: 1
1SMA5942BT3G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	TUN \| 214AC \| 5000	Integrierter Schaltkreis	5000	Maximal: 5000 Mindest: 1 Schritt: 1
BAS20HT1G	ONSEMI	Diode	SOD \| 323 \| 3000	Diode	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
BAT54HT1G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SOD \| 323 \| 3000	Integrierter Schaltkreis	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
BAV70LT1G	ONSEMI	Diode	SOT \| 23 \| 3000	Diode	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
BAW56LT1G	ONSEMI	Diode	SOT \| 23 \| 3000	Diode	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
BC847BDW1T1G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	6 \| TSSOP \| 3000	Integrierter Schaltkreis	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
BCP53T1G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SOT \| 223 \| 1000	Integrierter Schaltkreis	1000	Maximal: 1000 Mindest: 1 Schritt: 1
ES1J	ONSEMI	Diode	SMA \| 7500	Diode	7500	Maximal: 7500 Mindest: 1 Schritt: 1
ES2D	ONSEMI	Diode	KMU \| 3000	Diode	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
FDV303N	ONSEMI	Feldeffektröhre	SOT \| 23(SOT \| 23 \| 3) \| 3000	Feldeffektröhre	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
FOD817ASD	ONSEMI	Fototransistor-Ausgang	SMD \| 4 \| 1000	Fototransistor-Ausgang	1000	Maximal: 1000 Mindest: 1 Schritt: 1
FOD8342TR2	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	6 \| SOIC \| 1000	Integrierter Schaltkreis	1000	Maximal: 1000 Mindest: 1 Schritt: 1
FSA2567MPX	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	16 \| WFQFN \| 3000	Integrierter Schaltkreis	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
LM2576D2TR4-5G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	D2PAK \| 5 \| 800	Integrierter Schaltkreis	800	Maximal: 800 Mindest: 1 Schritt: 1
LM2901DR2G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	14 \| SOIC \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
LM358DR2G	ONSEMI	Budgetverstärker	SOIC \| 8_150mil \| 2500	Budgetverstärker	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
MAX809RTRG	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SOT23 \| 3 \| 3000	Integrierter Schaltkreis	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
MC14053BDR2G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	16 \| SOIC \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
MC33178DR2G	ONSEMI	Operationsverstärker	SOIC \| 8_150mil \| 2500	Operationsverstärker	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
MC74HC165ADR2G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	16 \| SOIC \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
MC74HC595ADR2G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	16 \| SOIC \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
MJE182G	ONSEMI	Triode	TO \| 225 \| 500	Triode	500	Maximal: 500 Mindest: 1 Schritt: 1
MOC3051M	ONSEMI	SCR-Signalausgang	DIP \| 6 \| 1000	SCR-Signalausgang	1000	Maximal: 1000 Mindest: 1 Schritt: 1
MOC3063M	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	6 \| DIP \| 50	Integrierter Schaltkreis	50	Maximal: 50 Mindest: 1 Schritt: 1
NTD2955T4G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	ZU \| 252 \| 3 \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
NVTFS5826NLWFTAG	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	WDFN \| 8 \| 1500	Integrierter Schaltkreis	1500	Maximal: 1500 Mindest: 1 Schritt: 1
PZT2907AT1G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SOT \| 223 \| 1000	Integrierter Schaltkreis	1000	Maximal: 1000 Mindest: 1 Schritt: 1
RB520S30T1G	ONSEMI	Diode	SOD \| 523 \| 3000	Diode	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
RB521S30T1G	ONSEMI	Diode	SOD \| 523 \| 3000	Diode	3000	Maximal: 3000 Mindest: 1 Schritt: 1
UC2842BD1R2G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	SOIC \| 8_150mil \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1
UC2844BD1R2G	ONSEMI	Integrierter Schaltkreis	8 \| SOIC \| 2500	Integrierter Schaltkreis	2500	Maximal: 2500 Mindest: 1 Schritt: 1

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