ONSEMI 3 | HUASHU TECHNOLOGIES

MPN	MFRS	Mục lục	PKG \| PIN \| SỐ LƯỢNG	Sự miêu tả	INV	SỐ LƯỢNG
1N4148WT	ONSEMI	Mạch tích hợp	SOD \| 523F \| 8000	Mạch tích hợp	8000	Tối đa: 8000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
1SMA5934BT3G	ONSEMI	Mạch tích hợp	SMA \| 5000	Mạch tích hợp	5000	Tối đa: 5000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
1SMA5942BT3G	ONSEMI	Mạch tích hợp	LÀM \| 214AC \| 5000	Mạch tích hợp	5000	Tối đa: 5000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
BAS20HT1G	ONSEMI	điốt	SOD \| 323 \| 3000	điốt	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
BAT54HT1G	ONSEMI	Mạch tích hợp	SOD \| 323 \| 3000	Mạch tích hợp	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
BAV70LT1G	ONSEMI	điốt	SOT \| 23 \| 3000	điốt	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
BAW56LT1G	ONSEMI	điốt	SOT \| 23 \| 3000	điốt	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
BC847BDW1T1G	ONSEMI	Mạch tích hợp	6 \| TSSOP \| 3000	Mạch tích hợp	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
BCP53T1G	ONSEMI	Mạch tích hợp	SOT \| 223 \| 1000	Mạch tích hợp	1000	Tối đa: 1000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
ES1J	ONSEMI	điốt	SMA \| 7500	điốt	7500	Tối đa: 7500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
ES2D	ONSEMI	điốt	SMB \| 3000	điốt	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
FDV303N	ONSEMI	Ống hiệu ứng trường	SOT \| 23(SOT \| 23 \| 3) \| 3000	Ống hiệu ứng trường	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
FOD817ASD	ONSEMI	Đầu ra của phototransistor	SMD \| 4 \| 1000	Đầu ra của phototransistor	1000	Tối đa: 1000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
FOD8342TR2	ONSEMI	Mạch tích hợp	6 \| SOIC \| 1000	Mạch tích hợp	1000	Tối đa: 1000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
FSA2567MPX	ONSEMI	Mạch tích hợp	16 \| WFQFN \| 3000	Mạch tích hợp	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
LM2576D2TR4-5G	ONSEMI	Mạch tích hợp	D2PAK \| 5 \| 800	Mạch tích hợp	800	Tối đa: 800 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
LM2901DR2G	ONSEMI	Mạch tích hợp	14 \| SOIC \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
LM358DR2G	ONSEMI	Bộ khuếch đại ngân sách	SOIC \| 8_150 triệu \| 2500	Bộ khuếch đại ngân sách	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MAX809RTRG	ONSEMI	Mạch tích hợp	SOT23 \| 3 \| 3000	Mạch tích hợp	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MC14053BDR2G	ONSEMI	Mạch tích hợp	16 \| SOIC \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MC33178DR2G	ONSEMI	Hoạt động khuếch đại	SOIC \| 8_150 triệu \| 2500	Hoạt động khuếch đại	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MC74HC165ADR2G	ONSEMI	Mạch tích hợp	16 \| SOIC \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MC74HC595ADR2G	ONSEMI	Mạch tích hợp	16 \| SOIC \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MJE182G	ONSEMI	triôt	TO \| 225 \| 500	triôt	500	Tối đa: 500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MOC3051M	ONSEMI	Đầu ra tín hiệu SCR	DIP \| 6 \| 1000	Đầu ra tín hiệu SCR	1000	Tối đa: 1000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
MOC3063M	ONSEMI	Mạch tích hợp	6 \| NHÚNG \| 50	Mạch tích hợp	50	Tối đa: 50 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
NTD2955T4G	ONSEMI	Mạch tích hợp	ĐẾN \| 252 \| 3 \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
NVTFS5826NLWFTAG	ONSEMI	Mạch tích hợp	WDFN \| 8 \| 1500	Mạch tích hợp	1500	Tối đa: 1500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
PZT2907AT1G	ONSEMI	Mạch tích hợp	SOT \| 223 \| 1000	Mạch tích hợp	1000	Tối đa: 1000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
RB520S30T1G	ONSEMI	điốt	SOD \| 523 \| 3000	điốt	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
RB521S30T1G	ONSEMI	điốt	SOD \| 523 \| 3000	điốt	3000	Tối đa: 3000 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
UC2842BD1R2G	ONSEMI	Mạch tích hợp	SOIC \| 8_150 triệu \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1
UC2844BD1R2G	ONSEMI	Mạch tích hợp	8 \| SOIC \| 2500	Mạch tích hợp	2500	Tối đa: 2500 tối thiểu: 1 Bước chân: 1

Trung tâm tin tức

Trung tâm sản phẩm

Ứng dụng sản phẩm

Liên hệ hợp tác kinh doanh

Đăng nhập

Đăng ký